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四探针半导体电阻率测量仪
简要描述:四探针半导体电阻率测量仪参照标准:1.硅片电阻率测量的标准(ASTM F84).2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.
更新时间:2024-07-17
产品型号:BEST-300C
厂商性质:生产厂家
访问量:978
品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 1万-3万 |
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自动化度 | 全自动 | 应用领域 | 化工,生物产业,能源,电气,综合 |
四探针半导体电阻率测量仪测量采用四端接线法。为了满足实际的需要,本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量。可用于物理教育实验,对导体/半导体/金属薄膜材料的电阻 及电阻率的测试及研究。本产品的电阻测量范围可达10-6—106Ω。
四探针电阻测试仪由主机、选配的四探针探头和测试台等三部分组成。主机主要由数控恒流源,高分辨率 ADC、嵌入式单片机系统组成。自动/手动量程可选;电阻率、方阻、电阻测试类别快捷切换:仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入,简便可靠;具有零位、满度自校功能;测试结果由数字表头直接显示。
四探针半导体电阻率测量仪
1.方块电阻sheet resistance | 10-5~2×105Ω/□ | 10-4~2×105Ω/□ | 10-3~2×105Ω/□ | 10-3~2×104Ω /□ | 10-2~2×105Ω/□ | 10-2~2×104Ω/□ |
2.电阻率Resistivity | 10-6~2×106Ω-cm | 10-5~2×106Ω-cm | 10-4~2×106Ω-cm | 10-4~2×105Ω-cm | 10-3~2×106Ω-cm | 10-3~2×106Ω-cm |
3.测试电流Test current | 0.1μA.μA.0μA,100µA,1mA,10mA,100mA | 1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA | 0.1μA.μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA | 1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA | 0.1μA、1μA、10μA,100µA,1mA,10mA,100mA | 1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
4.电流精度Current | ±0.1% accuracy | ±0.2% accuracy | ±0.2% accuracy | ±0.3% accuracy | ±0.3% accuracy | ±0.3% accuracy |
5.电阻精度Resistance | ≤0.3% accuracy | ≤0.3% accuracy | ≤0.3% accuracy | ≤0.5% accuracy | ≤0.5% accuracy | ≤0.5% accuracy |
6.显示读数display | 屏液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率Large screen LCD: Resistance. resistivity. sheet resistance. temperature. unit conversion.temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness. conductivity | |||||
7.测试方式 | test mode双电测量Double electrical measurement | |||||
8.电源Power | 输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:<30W |
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