四探针方阻仪

四探针方阻仪1.2.准备好被测物，链接好测试探头，把测试探头接口与主机接口相连接，并锁定，防止松动或接触不良而对测试结果造成影响.

1.3.接通电源，开启电源开关，待仪器液晶显示屏上显示出厂家和产品信息后，如图3，按“显示"键进入，

1.4.进入测试功能界面如图4、图5；如测试方阻时，请选择液晶显示屏又侧对应 的功能按键“方阻"，则进入方阻测试界面；如测试其他材料时，请选择“材料"则进入材料电阻，电阻率，电导率测试仪界面。

1.5.设置好被测物所需之参数，把被测物放于测试治具平台上操作，测试完毕直接显示测试数据。如配置软件，软件操作说明书同安装软件在一起，请注意查看操作步骤.

四探针方阻仪四探针双电方阻测试步骤2.1.上述步骤中1项，使用前期准备

2.2 把被测物测试所需要之参数数据设定：

2.2.1依据不同之测试样品，选择被测试电流，电流设置：按方向键移动光标至“电流"功能，按“设置"键进入；再按“左右"方向键选择电流数据，选择完毕后按“确定"键进行确认。按照以上步骤和方法选择电压、长度单位、探针形状设定、温度.

2.2.2.探针间距数据的输入，探针间距出厂时已经标定，无需再次测量，探针头上有详细的探针数据资料，探针间距的设置：将光标移动至“探针间距"按“设置"键进入，通过面板上面的“数字"按键输入数据按“确定"键进行确认；按照以上方法和步骤设定"厚度“，注意厚度和探针间距修正系数表已经设置在仪器程序中，自动修正，无需再次输入和查询表格。

2.3.测试探头和测试平台操作

选配测试平台的将被测物放在测试平台上，调节探头探针与样品良好接触，探头有二种，一种是探针是弹簧针型，一种是硬针而探头内腔有弹簧；探头有方型和直线型两种结构；调节测试平台上的水平定位角，保证水平仪水准在中心位置；放置好被测物品，后压下探头至被测物，带数据稳定后读取.

探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之

间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以

等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中

的规定。

R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R，)

计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中

查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因

子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。

对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100

μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平

头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不

小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形

操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.

Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-

双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针

0℃-40℃，小刻度为0.1℃。

光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影

响测试结果，

甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具

有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35

μm~100μm.100 μm

…… … ………(5)

电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表

面粘污等会影响测试结果，

R(TD-R_xF式中:

计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).

试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,

s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..

计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄

层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)

见式(5).

用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置

的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.

接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围

    电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm

    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□

    电  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直    径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，   方测试台直接测试方式180mm×180mm，    长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm,        测量方位: 轴向、径向均可

3.3.  4-1/2 位数字电压表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)误差：±0.1%读数±2 字