双电四探针电阻测试仪符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

四探针低阻率检测仪可以测试到1uΩ方阻值，采用芯片控制，恒流输出，液晶显示，自动数据测量，系数补偿，参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量.提供中文或英文语言版本.

四探针电阻测定仪硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》. GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

方阻计 四探针测试仪适用范围： 四探针法测试的 导电性新材料、铝箔、铜箔等具有类似性质要求测量的材料.

四探针低电阻率测试仪比较-电流计——计算电阻或电导的*百分比误差是指Rs,电流计偏移或放大器读数的百分比误差总和,同时假设电流灵敏度与偏移无关。对于新式电流计(直流电流放大器可能发生1/3刻度偏移),后者的假设精度到±2%有用范围之内(在1/10满刻度偏移之上)。Rs的误差取决于采用的电阻器类型,但是1MΩ电阻的误差极限低至0.1%是适用的。对于满刻度偏移,采用灵敏度为10nA的电流计或直流电流放